DDR 記憶體電源 IC
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我們提供廣泛多元的 DDR 終端器產品組合以滿足您的系統需求，並提供線性和切換穩壓器型解決方案供您選擇。DDR VDDQ 和 VTT 裝置具有低內部參考，可調節低 DDR 核心和終端輸出電壓。與標準線性和切換穩壓器相比，DDR 終端器可汲極或源極終端電流，並具有電流能力與外部參考輸入，以追蹤 VDDQ/2 輸入並產生 VTT 終端軌。
Technical Resources
DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A)
Improving DDR Memory Performance in Automotive Applications
Four design tips to obtain 2MHz switching frequency
Design & development resources
TPS51200 汲極源極 DDR 終端穩壓器
TPS51200EVM 評估板 HPA322A 旨在評估 TI 成本最佳化的 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 終端穩壓器 TPS51200 的性能和特性。TPS51200 旨在為 DDR 記憶體提供適當的終止電壓與 10-mA 緩衝參考電壓，該電壓涵蓋 DDR (2.5 V/1.25 V)、DDR2 (1.8 V/0.9 V)、DDR3 (1.5 V/0.75 V)、LP DDR3 (1.2 V/0.6 V) 規格，且僅需最少外部零組件。
具有 VTTREF 緩沖參考的 2-A 峰值汲極/源極 DDR 終端穩壓器
TPS51206EVM-745 評估模組 (EVM) 使用 TPS51206。TPS51206 是一款具有 VTTREF 緩衝參考輸出的汲極/源極雙資料速率 (DDR) 終端穩壓器。本裝置專為低輸入電壓、低成本、低外部元件數量系統設計，其中空間是關鍵考量因素。TPS51206EVM-745 旨在爲 DDR 記憶體提供適當的終止電壓和 10-mA 緩衝參考電壓，該電壓涵蓋 DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (0.75VTT)、DDR3L (0.675VTT) 和 DDR4 (0.6VTT) 規格，且外部零組件降到最少。
TPS54116-Q1 車用 DDR 電源解決方案評估模組
此評估模組旨在展示採用 TPS54116-Q1 穩壓器設計時，可實現的精簡印刷電路板面積。外部分壓器實現可調整的輸出電壓。TPS54116-Q1 DC/DC 轉換器是一款同步降壓轉換器，旨在提供最高 4A 的輸出，以及用於 DDR 記憶體終端的整合式 1A 源極/汲極 LDO。