无源和分立式

我们的薄膜硅铬电阻器网络采用交错技术来实现较高的元件间匹配，并具有抗老化和温度应力的能力。

优势：

• 薄膜 SiCr 以小巧的外形实现高度交错，同时提供比厚膜解决方案更低的闪烁噪声。
• 片上交错可以有效地使多个电阻器占据晶圆上的同一位置，从而确保晶圆上薄膜电阻材料的任何变化都会对所有电阻器产生同等影响。
• 匹配的电阻器可实现极低的比例温度系数，典型漂移为 0.2ppm/°C 或更低。

与集成放大器相比，分立式结型场效应晶体管 (JFET) 可以实现低得多的噪声和相对较低的功耗，因此非常适合电感式传感器，这些传感器可能需要具有低电压和低电流噪声的放大器。

优势：

• 具有与双极结型晶体管类似的极低水平宽带电压噪声，但具有极低电流噪声的额外优势。
• 单通道灵活性和双通道匹配选项。
• 一对以单片方式装配在同一芯片上的 JFET 的匹配效果比单个晶体管要好得多，从而可以防止高增益电路中引入直流失调电压。

线性硅基热敏电阻可在整个温度范围内保持高灵敏度，从而提高性能和可靠性。

优势：

• 无需线性化电路或基于硬件的电阻器-电容器滤波器。
• 与负温度系数 (NTC) 热敏电阻相比，可执行更快、更准确的软件转换，同时降低存储器要求。
• 无需多点校准，即可实现比 NTC 热敏电阻高多达 50% 的精度。
• 由于热质量较低，在较高温度下可实现几乎 300% 的响应速度和更高的灵敏度。
• 产品系列包括 TI 功能安全型器件和时基故障率/故障模式分布文档。
• 低自发热可更大限度地减少长期传感器温漂。

体声波 (BAW) 谐振器在现有石英和微电子机械谐振器技术的基础上进行了许多改进。我们的产品系列包括具有 1MHz 至 400MHz 频率、业界通用封装、低功耗和宽电源电压范围的振荡器。

优势：

• 基于 BAW 的晶体振荡器提供出色的可靠性（针对振动和冲击、故障间隔平均时间 (MTBF)、温度稳定性、老化和环境因素等）。
• 实现了小于 100fs 的均方根抖动。
• 使用 BAW 振荡器替代石英振荡器无需任何设计或印刷电路板布局布线更改。