TIDA-01605
車載用 2 レベルのターンオフ保護機能採用のデュアル チャネル SiC MOSFET ゲート ドライバのリファレンス デザイン
TIDA-01605
概要
このリファレンス デザインは、SiC MOSFET をハーフ ブリッジ構成で駆動する、車載認定済みの絶縁型ゲート ドライバ ソリューションです。このデザインは、デュアル チャネルの絶縁型ゲート ドライバのそれぞれに電力を供給する 2 個のプッシュプル バイアス電源を搭載しており、各電源は +15V と -4V の出力電圧で 1W の出力電力を供給します。ゲート ドライバは、4A のソース電流と 6A のピーク シンク電流に対応できます。このドライバは強化絶縁型であり、8kV ピークと 5.7kV RMS の絶縁電圧に耐えるほか、100V/ns を上回る CMTI (同相モード過渡電圧耐性) を達成しています。このリファレンス デザインは、2 レベルのターンオフ回路を搭載しており、短絡のシナリオが発生した場合でも、これらの回路は MOSFET を電圧オーバーシュートから保護します。2 番目のターンオフ回路で、DESAT 検出スレッショルドと遅延時間が構成可能です。フォルト信号およびリセット信号のインターフェイス用に、ISO7721-Q1デジタル アイソレータが実装されています。回路全体が、40mm × 40mm.の小型フォーム ファクタを採用した 2 層 PCB ボードに搭載されています。
特長
- SiC MOSFET をハーフ ブリッジ構成で駆動する、小型のデュアル チャネル ゲート ドライバ ソリューション
- 4A のソース電流と 6V のピーク シンク電流に対応する能力で、最大 500kHz のスイッチング周波数による SiC MOSFET、Si MOSFET、IGBT の駆動に最適
- 15V と -4V を出力する、小型、高効率の絶縁型バイアス電源を内蔵
- 2 レベルのターンオフ回路を個別実装して短絡から保護し、電流制限と遅延 (ブランキング) 時間を調整可能
- 100 V/ns を上回る高い CMTI を実現し、8kV ピークと 5.7kV RMS の電圧に耐える強化絶縁型です
組み立てられたボードは、テストと性能検証のみの目的で開発されたものであり、販売していません。
設計ファイルと製品
設計ファイル
すぐに使用できるシステム ファイルをダウンロードすると、設計プロセスを迅速化できます。
TIDRVT4A.PDF (54 KB)
設計に使用したコンポーネント、参照指定子、メーカー名や型番などを記入した詳細なリスト
製品
設計や代替製品候補に TI 製品を含めます。
絶縁型ゲート ドライバ
UCC21530-Q1 — 車載、IGBT と SiC 向け、EN ピンと DT ピン搭載、4A/6A、5.7kVRMS、デュアルチャネル絶縁型ゲート ドライバ
リニア レギュレータと低ドロップアウト (LDO) レギュレータ
TPS7B69-Q1 — 車載、150mA、バッテリ直結対応 (40V)、高 PSRR、低静止電流 (IQ)、低ドロップアウト電圧レギュレータ
技術資料
=
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| タイプ | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
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| * | 設計ガイド | Automotive Dual-Channel, SiC MOSFET Gate Driver Reference Design (Rev. B) | 2020/06/03 | |||
| ホワイト・ペーパー | Circuit Board Insulation Design According to IEC60664 for Motor Drive Apps | PDF | HTML | 2023/08/31 | |||
| ホワイト・ペーパー | High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies | 2014/10/16 |