PMP41078
GaN HEMT を搭載した高電圧から低電圧への DC/DC コンバータのリファレンス デザイン
PMP41078
概要
650V のGaN (窒化ガリウム) HEMT (高電子移動度トランジスタ) を搭載した、3.5kW の高電圧から低電圧への DC/DC コンバータのリファレンス デザインです。LMG3522R030 を 1 次スイッチとして使用すると、コンバータは高スイッチング周波数で動作します。このデザインでは、コンバータは小型化されたトランスを使用しています。アクティブ クランプ MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) の放熱性能を緩和するため、このコンバータは 2 チャネルのアクティブ クランプ回路を使用しています。
特長
- LMG3522 を使用し、C29 MCU (マイコン ユニット) を使用して制御する、GaN ベースの PSFB (位相シフト フルブリッジ)
- 200kHz のスイッチング周波数、磁気部品のサイズは 100kHz の場合より 35% 低減
- 200kHz、400V Vin、13.5V Vout、約 1kW で 95.48%
- 高周波シナリオと低 SR (同期整流器) MOSFET 電圧ストレスに対応する、デュアル アクティブ クランプ回路
- 軽負荷時の効率を最適化することで、効率を最大 5% アップ
| 出力電圧オプション | PMP41078.1 |
|---|---|
| Vin（最小）（V） | 200 |
| Vin（最大）（V） | 450 |
| Vout (Nom) (V) | 14 |
| Iout（最大）（V） | 250 |
| 出力電力（W） | 3500 |
| 絶縁/非絶縁 | Isolated |
| 入力タイプ | DC |
| トポロジ | Full Bridge- Phase Shifted |
組み立てられたボードは、テストと性能検証のみの目的で開発されたものであり、販売していません。
設計ファイルと製品
設計ファイル
すぐに使用できるシステム ファイルをダウンロードすると、設計プロセスを迅速化できます。
TIDT403A.PDF (2789 KB)
効率グラフや試験の前提条件などを含める、このリファレンス デザインに関する試験結果
TIDMD81B.ZIP (440 KB)
設計に使用したコンポーネント、参照指定子、メーカー名や型番などを記入した詳細なリスト
製品
設計や代替製品候補に TI 製品を含めます。
理想ダイオード/ ORing コントローラ
LM74202-Q1 — 車載、FET 内蔵、4.2V ～ 40V、2.2A、300μA 静止電流 (IQ)、理想ダイオード
マルチチャネル IC (PMIC)
TPS653860-Q1 — 車載対応、安全関連アプリケーション向け、2.3V ～ 36V、2.8A、パワー マネージメント IC (PMIC)
C2000 リアルタイム マイコン
TMS320F28P659DK-Q1 — C2000™ 32 ビット マイコン、2 個の C28x+CLA (制御補償器アクセラレータ) CPU、ロックステップ、1.28MB フラッシュ、16 ビット ADC、HRPWM、CAN-FD、AES
技術資料
=
TI が選定した主要ドキュメント
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| タイプ | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 試験報告書 | High-Voltage to Low-Voltage DC-DC Converter Reference Design With GaN HEMT (Rev. A) | PDF | HTML | 2024/12/09 | ||
| 技術記事 | 高スイッチング周波数での整流器向けアクティブ クランプ回路の設 計 | PDF | HTML | 英語版 | 2025/08/13 |