PMP21553
安全絶縁型 1 次側 SiC MOSFET ドライバのリファレンス デザイン
PMP21553
概要
このリファレンスデザインは、2 個のプッシュプル SN6505B トランスドライバと絶縁型デュアルチャネルゲートドライバ UCC21521C で構成された、車載バッテリ充電システム向けの統合型ハイサイドおよびローサイド絶縁型 1 次側ゲートドライバソリューションを実現します。
特長
- 分割レール + 15V /- 4V 出力
- FET ターンオフ用の負の 4V 出力
- 基板サイズ：1.500 インチ x 1.750 インチ
- 最大 120mA の大きな FET 駆動電流により、スイッチング損失を低減します
| 出力電圧オプション | PMP21553.1 |
|---|---|
| Vin（最小）（V） | 4.85 |
| Vin（最大）（V） | 5.15 |
| Vout (Nom) (V) | 19 |
| Iout（最大）（V） | .12 |
| 出力電力（W） | 2.28 |
| 絶縁/非絶縁 | Isolated |
| 入力タイプ | DC |
| トポロジ | Forward- Push Pull |
車載
組み立てられたボードは、テストと性能検証のみの目的で開発されたものであり、販売していません。
設計ファイルと製品
設計ファイル
すぐに使用できるシステム ファイルをダウンロードすると、設計プロセスを迅速化できます。
TIDRXR3A.PDF (94 KB)
設計に使用したコンポーネント、参照指定子、メーカー名や型番などを記入した詳細なリスト
技術資料
=
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| タイプ | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 試験報告書 | Safety Isolated Primary SiC MOSFET Driver Reference Design (Rev. A) | 2019/04/25 |