LMG1210EVM-012
LMG1210 ハーフ ブリッジ ドーターカードの 評価基板
LMG1210EVM-012
概要
LMG1210EVM-012 は、GaN FET 向けの LMG1210 メガヘルツ 200V ハーフ ブリッジ ドライバを評価する目的で設計されています。この EVM は、単一の LMG1210 によって駆動される、ハーフ ブリッジ構成の 2 個の GaN（窒化ガリウム）FET によって形成されています。ボード上にコントローラは実装されていません。
特長
- ドライバの高周波対応を実証します
- ドライバの高い CMTI 耐性を示します
- ドライバの優れた遅延特性、マッチング、強度を実証します
- デッドタイム ブロック機能と、効率に対する望ましい影響を実証
- これはご注文可能な PCB (ハードウェア) であり、Class-D オーディオ、エンベロープトラッキング、高周波 DC/DC の各アプリケーションで使用するレーザーのドライバ段を提示します。
ハーフ ブリッジ ドライバ
購入と開発の開始
評価ボード
LMG1210EVM-012 — LMG1210 ハーフブリッジ開ループの評価モジュール
LMG1210EVM-012 — LMG1210 ハーフブリッジ開ループの評価モジュール
設計ファイル
技術資料
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| タイプ | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | EVM ユーザー ガイド (英語) | Using the LMG1210EVM-012 300 V Half-Bridge Driver for GaN | 2018/01/29 | |||
| データシート | LMG1210 デッドタイム調整可能な 200V、1.5A、3A ハーフ・ブリッジ MOSFET および GaN FET ドライバ、最大 50MHz のアプリケーション向け データシート (Rev. D 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.D) | PDF | HTML | 2020/02/06 | |
| 証明書 | LMG1210EVM-012 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2019/01/02 |