LMG1205HBEVM
LMG1205 GaN パワー ステージの評価基板
LMG1205HBEVM
概要
80V、10A の電力段評価基板 (EVM) - LMG1205 ハーフブリッジ EVM 基板は、電力段を PWM 外部信号と組み合わせるための小型で使いやすい評価基板です。この EVM は、さまざまな DC-DC コンバータ トポロジで GaN ハーフブリッジを駆動する LMG1205 の性能を評価するのに適しています。ハーフブリッジの性能を推定し、効率を測定するために使用できます。このモジュールは、最大 10A の電流を供給できます。ただし、基板上の部品の最大動作温度仕様を超えないように、適切な熱管理 (強制空気、低周波数での動作など) に従う必要があります。しかし、オープン ループ ボードであるため、過渡値の測定には適していません。
特長
- 最大 80V の入力電圧で動作
- GaN ハーフブリッジを駆動する LMG1205 の性能を評価するためのシンプルなオープンループ設計
- 基板上のリニア レギュレータから生成される VDD 電源
- 8ns のデッドタイムを持つ PWM 信号用のシングル PWM 入力ボード
- 効率を測定するために、入出力をセンスするケルビン センス機能
- 出力電流検出シャント抵抗
ハーフ ブリッジ ドライバ
購入と開発の開始
評価ボード
LMG1205HBEVM — LMG1205 GaN パワー・ステージの評価モジュール
LMG1205HBEVM — LMG1205 GaN パワー・ステージの評価モジュール
設計ファイル
技術資料
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| タイプ | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | EVM ユーザー ガイド (英語) | Using the LMG1205HBEVM | 2017/03/22 | |||
| データシート | LMG1205 ブートストラップ・ダイオード内蔵の 80V、1.2A～5A、ハーフ・ブリッジ GaN ドライバ データシート (Rev. B 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2023/05/01 | |
| 証明書 | LMG1205HBEVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2019/01/02 |