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設計と開発

CSD1FNCHEVM-889

FemtoFET N チャネルの評価基板

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CSD1FNCHEVM-889

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概要

FemtoFET N チャネル向けのこの評価基板 (EVM) には 7 枚のドーター カードが付属しており、各カードには FemtoFET N チャネルの異なる型番が記載されています。  ドーター カードを使用すると、エンジニアはこれらの超小型デバイスを簡単に接続してテストすることができます。  7 個の FemtoFET は 12V ～ 60V の範囲の VDS (ドレイン ソース間電圧) に対応しており、デバイスのサイズは F3 (0.6 x 0.7mm)、F4 (0.6 x 1.0mm)、F5 (0.8 x 1.5mm) のいずれかです。

特長
  • これらの LGA (ランド グリッド アレイ) パッケージ部品を容易に取り扱い可能
  • Vds とパッケージ サイズを幅広く取り揃え
  • 基板の一部を切り離すと、合計 7 枚の基板に分離可能。各ドーター カードには 1 個の FET を搭載済み
  • サイズと抵抗値に関して、FemtoFET は FET 業界で最善の組み合わせを達成
MOSFET
CSD13380F3 — ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm の LGA 封止、シングル、76mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET CSD13383F4 — ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1 mm x 0.6mm の LGA 封止、シングル、44mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET CSD13385F5 — ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.8mm x 1.5mm の LGA 封止、シングル、19mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET CSD15380F3 — ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.6mm x 0.7mm の LGA 封止、シングル、1460mΩ、20V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET CSD17381F4 — ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1mm x 0.6mm の LGA 封止、117mΩ、シングル、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET CSD17585F5 — ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、0.8mm x 1.5mm の LGA 封止、シングル、33mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET CSD18541F5 — ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1.5mm x 0.8mm の LGA 封止、シングル、65mΩ、60V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
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評価ボード

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N チャネルの評価基板

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技術資料

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タイプ タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* EVM ユーザー ガイド (英語) Ultra-Small Footprint N-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM 2017/12/06
証明書 CSD1FNCHEVM-889 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019/01/02

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