TIDA-010940

单相并联电表参考设计

TIDA-010940

设计文件

概述

该参考设计使用独立多通道模数转换器 (ADC) 对分流传感器进行采样,从而实现单相能量计。分流传感器和超低功耗霍尔效应传感器 (DRV5032) 相结合,能够检测磁篡改攻击并更大程度地降低其影响。该参考设计在 4000:1 输入范围 (25mA–100A) 内以 8kHz 的采样率实现 0.5S 级精度,并使用 TI Arm® Cortex®-M0+ 主机微控制器计算计量参数。必要的软件功能在 MSPM0-SDK 版本2.02.00.05 中实现,可使用 TI Code Composer Studio™ 进行编译。

特性
  • 在 25mA 至 100A 输入范围内测试了单相两线 (1P1W) 0.5S 级分流电表
  • 计算参数包括有功和无功电能和功率、RMS 线路电流、RMS 中性线电流、RMS 电压、功率因数和线路频率
  • 使用 DRV5032 数字开关霍尔效应传感器检测潜在的篡改攻击
  • 具有 5kVRMS 隔离的 RS-485 接口
  • 能量计量软件,脉冲输出连接到参考测试系统,并在 Microsoft® Windows® PC GUI 上显示结果。
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

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参考设计概述和经过验证的性能测试数据

TIDMDE9A.PDF (359 KB)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDMDE8A.PDF (131 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDMDF1A.ZIP (4566 KB)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCGS4A.ZIP (3213 KB)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDMDF0A.PDF (1520 KB)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

TIDMDE7A.PDF (711 KB)

设计布局和元件的详细原理图

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

Arm Cortex-M0+ MCU

MSPM0L2228具有 256KB 双组闪存、32KB SRAM、12 位 ADC、COMP、LCD、VBAT 的 32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU

数据表: PDF | HTML
精密 ADC

ADS131M03三通道、24 位、64kSPS、同步采样 Δ-Σ ADC

数据表: PDF
霍尔效应锁存器和开关

DRV5032低功耗(5Hz、<1µA)、低电压(最高 5.5V)开关

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RS-485 和 RS-422 收发器

THVD1400采用小型封装选项、具有 ±12kV IEC ESD 保护功能的 3.3V 至 5V、500Kbps、RS-485 收发器

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数字隔离器

ISO6731通用三通道 2/1 数字隔离器

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* 设计指南 单相并联电表参考设计 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2025-2-20

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