PMP41134

适用于储能系统的 3.6kW 双向 SR-DAB 转换器参考设计

PMP41134

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概述

串联谐振双有源桥 (SR LD-DAB) 直流/直流转换器参考设计具有软开关、低循环电流和高效率等优势。便携式电站和储能应用需要功率密度、成本、电隔离、宽增益范围和高效率时,此设计非常有用。此设计演示在闭合电流环路模式下使用 C2000™ MCU 控制电源拓扑,通过双向运行支持电池充电和放电应用。

特性
  • Vprim:360–550VDC;Vsec:40–60VDC
  • 最大功耗:3.6kW
  • 峰值效率达 98.5%
  • 软开关在初级侧和次级侧使用零电压开关 (ZVS),可实现更高的效率
  • 用于实现数字控制的 TMS320F28P55x 控制器
输出电压选项 PMP41134.1
输入电压(最小值)(V) 360
输入电压(最大值)(V) 550
输出电压(标称值)(V) 48
Iout(最大值)(A) 75
输出功率 (W) 3600
隔离/非隔离 Isolated
输入类型 DC
拓扑 Other
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设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

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TIDT438.PDF (826 KB)

参考设计的测试结果,包括效率图、测试必要条件等

TIDME14.ZIP (452 KB)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDME13A.ZIP (153 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDME16.ZIP (6245 KB)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCGW9.ZIP (233 KB)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDME15.ZIP (1403 KB)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

TIDME12.ZIP (860 KB)

设计布局和元件的详细原理图

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

MOSFET

CSD19502Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
霍尔效应电流传感器

TMCS1133具有 AFR 和警报功能的 80ARMS、1MHz 霍尔效应电流传感器

数据表: PDF | HTML
隔离式放大器

AMC1302±50mV 输入、精密电流检测增强型隔离式放大器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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* 测试报告 3.6kW Bidirectional SR-DAB Converter Reference Design for Energy Storage System PDF | HTML 2025-3-14

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