PMP41114

采用全 GaN 开关的 3.6kW、54V 单相交流/直流整流器参考设计

PMP41114

设计文件

概述

此参考设计是采用全 GaN 开关的数字控制 3.6kW、54V 单相交流/直流整流器。此设计演示标准外形的模块化硬件系统常见冗余电源 (M-CRPS)。输入级选择单相、图腾柱无桥功率因数校正 (PFC),输出级选择具有全桥同步整流器 (FB SR) 的全桥 LLC (FB LLC) 谐振变换器。LLC 级半载效率达 98.5%,PFC 级半载效率达 98.92%。

特性
  • 适用于服务器电源的系统参考设计
  • 3.6kW、54V 输出,185mm × 73.5mm × 40mm(含外壳)
  • 采用全 GaN 开关,效率高于 80 Plus 钛金级
  • 超紧凑 LLC 模块,采用 PCB 绕组
  • 基于开放计算项目 (OCP) M-CRPS 标准的全功能演示
输出电压选项 PMP41114.1
输入电压(最小值)(V) 90
输入电压(最大值)(V) 264
输出电压(标称值)(V) 54
Iout(最大值)(A) 67
输出功率 (W) 3618
隔离/非隔离 Isolated
输入类型 AC
拓扑 Boost- PFC^Full Bridge- LLC
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

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TIDT436.PDF (1050 KB)

参考设计的测试结果,包括效率图、测试必要条件等

TIDMDZ4.PDF (510 KB)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDMDZ6.ZIP (359 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDMDZ5.ZIP (92733 KB)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCGW5.ZIP (5419 KB)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDMDZ3.PDF (3644 KB)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

TIDMDZ2.PDF (403 KB)

设计布局和元件的详细原理图

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

C2000 实时微控制器

TMS320F280039C具有 CLA、CLB、AES 和 CAN-FD 的 C2000™ 32 位 MCU 120MHz 384KB 闪存、FPU 和 TMU

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霍尔效应电流传感器

TMCS1133具有 AFR 和警报功能的 80ARMS、1MHz 霍尔效应电流传感器

数据表: PDF | HTML
霍尔效应电流传感器

TMCS1100具有外部基准的 ±600V 基本隔离、20Arms、80kHz 霍尔效应电流传感器

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氮化镓 (GaN) 功率级

LMG3522R030具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET

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C2000 实时微控制器

TMS320F280023具有 100MHz 频率、FPU、TMU、64kB 闪存的 C2000™ 32 位 MCU

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理想二极管/ORing 控制器

LM5050-26V 至 75V、400uA IQ ORing FET 控制器

数据表: PDF
4-20mA 信号调节器

XTR111具有 3V 至 15V 稳压器和电阻器设置 I/O 比的电压电流转换器/变送器

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氮化镓 (GaN) 功率级

LMG3650R025具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 25mΩ TOLL 封装 GaN FET

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氮化镓 (GaN) 功率级

LMG3100R017具有集成驱动器的 100V 1.7mΩ GaN FET

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 测试报告 3.6kW, 54V, Single-Phase, AC-to-DC Rectifier Reference Design With all GaN Switches PDF | HTML 2025-3-11

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