PMP40586

1kW 数字控制电流模式 LLC 参考设计

PMP40586

设计文件

概述

此参考设计是行业先进的数字混合迟滞控制 (HHC) 解决方案,适用于具有 12V 至 54V 输出的服务器 PSU 应用。此参考设计展示了 UCD3138 在 400V 至 12V 1kW LLC 功率级中实现的 HHC 控制优势。此设计可实现 8kHz 峰值环路带宽。它在 0% 至 100% 负载转换和 2.5A/us 压摆率下保持小于 500mV 的峰峰值偏差,在 0% 至 150% 负载转换和 2.5A/us 压摆率下保持小于 800mV 的峰峰值偏差。

特性
  • 高负载瞬态性能
  • 支持在任何负载条件下单调启动
  • 用于在轻负载情况下节能的突发模式
  • 针对次级 MOSFET 的集成 SR 控制
  • 低音频易感性抑制输入电压纹波
  • 可配置的死区时间
输出电压选项 PMP40586.1
输入电压(最小值)(V) 340
输入电压(最大值)(V) 420
输出电压(标称值)(V) 12
Iout(最大值)(A) 84
输出功率 (W) 1008
隔离/非隔离 Isolated
输入类型 DC
拓扑 Half Bridge- LLC
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

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TIDT334.PDF (2774 KB)

参考设计的测试结果,包括效率图、测试必要条件等

TIDMBW0.ZIP (1148 KB)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDMBV9.ZIP (502 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDMBW2.ZIP (6992 KB)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCGH4.ZIP (22097 KB)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDMBW1.ZIP (5103 KB)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

TIDMBV8.ZIP (1280 KB)

设计布局和元件的详细原理图

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

理想二极管/ORing 控制器

TPS24110.8V 至 16.5V、1.2A IQ、293uA Igate 拉电流、N+1 和 OR-ing 电源轨控制器

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交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

UCD3138用于隔离电源的高度集成数字控制器(具有 3 个反馈环路和 8 个 DPWM 输出)

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高速运算放大器 (GBW ≥ 50MHz)

OPA3652.2V、50MHz 低噪声单电源轨到轨运算放大器

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低侧驱动器

UCC27524具有 5V UVLO、使能功能和 1ns 延迟匹配的 5A/5A 双通道栅极驱动器

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并联电压基准

ATL431LI采用超小型 DQN 封装的低 IQ 可编程分流稳压器

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隔离式栅极驱动器

UCC21540具有双输入、DT 引脚和 8V UVLO、采用 DW 或 DWK 封装的 5.7kVrms、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

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交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

UCC28740具有次级侧调节 (SSR) 功能的恒压、恒流 (CVCC) 反激控制器

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MOSFET

CSD18510Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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电源模块(集成电感器)

TPSM8632523V 至 17V 输入电压、3A Eco-mode 同步降压模块

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与门

SN74AHC1G08单通道、2 输入、2V 至 5.5V 高速 (9ns) 与门

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AC/DC 和 DC/DC 转换器(集成 FET)

TPS628510采用 SOT583 封装的 2.7V 至 6V、0.5A 固定频率降压转换器

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精密运算放大器 (Vos<1mV)

TLV3765.5MHz、100µV 失调电压、8nV/√Hz 噪声、815µA 功耗、精密运算放大器

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MOSFET

CSD16570Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.82mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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模拟温度传感器

LM20±1.5°C 模拟输出温度传感器

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技术文档

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* 测试报告 1-kW Digital-Controlled Current Mode LLC Reference Design PDF | HTML 2023-9-26
技术文章 实时控制技术如何实现可靠且可扩展的高压设计 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024-7-5

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