PMP21561
安全隔离式次级 SiC MOSFET 驱动器参考设计
PMP21561
概述
此参考设计为汽车电池充电系统提供集成的高侧和低侧隔离式次级栅极驱动器解决方案,采用两个推挽式 SN6505B 变压器驱动器和隔离式双通道栅极驱动器 UCC21521C。
特性
- 双电源 +15V/-4V 输出
- 4V 负输出,用于快速 FET 关断
- 1.500" x 1.750" 的小电路板尺寸
- 高达 120mA 的高 FET 驱动电流可降低开关损耗
输出电压选项 | PMP21561.1 |
---|---|
输入电压(最小值)(V) | 4.85 |
输入电压(最大值)(V) | 5.15 |
输出电压(标称值)(V) | 19 |
Iout(最大值)(A) | .12 |
输出功率 (W) | 2.28 |
隔离/非隔离 | Isolated |
输入类型 | DC |
拓扑 | Forward- Push Pull |
汽车
我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。
设计文件和产品
设计文件
下载现成的系统文件,加快您的设计过程。
技术文档
=
TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 2
类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
---|---|---|---|---|---|---|
* | 测试报告 | Safety Isolated Secondary SiC MOSFET Driver Reference Design (Rev. A) | 2019-4-25 | |||
产品概述 | 适用于 PLC I/O 模块和其他低功耗应用的隔离式电源拓扑 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2024-8-29 |