PMP21561

安全隔离式次级 SiC MOSFET 驱动器参考设计

PMP21561

设计文件

概述

此参考设计为汽车电池充电系统提供集成的高侧和低侧隔离式次级栅极驱动器解决方案,采用两个推挽式 SN6505B 变压器驱动器和隔离式双通道栅极驱动器 UCC21521C。

特性
  • 双电源 +15V/-4V 输出
  • 4V 负输出,用于快速 FET 关断
  • 1.500" x 1.750" 的小电路板尺寸
  • 高达 120mA 的高 FET 驱动电流可降低开关损耗
输出电压选项 PMP21561.1
输入电压(最小值)(V) 4.85
输入电压(最大值)(V) 5.15
输出电压(标称值)(V) 19
Iout(最大值)(A) .12
输出功率 (W) 2.28
隔离/非隔离 Isolated
输入类型 DC
拓扑 Forward- Push Pull
下载 观看带字幕的视频 视频

我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDT040A.PDF (1204 KB)

参考设计的测试结果,包括效率图、测试必要条件等

TIDRXR9.PDF (110 KB)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRXR8A.PDF (94 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRXS1A.ZIP (592 KB)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCF14.ZIP (1796 KB)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRXS0.PDF (472 KB)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

TIDRXR7A.PDF (151 KB)

设计布局和元件的详细原理图

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

变压器驱动器

SN6505B适用于隔离电源的低噪声、1A、420kHz 变压器驱动器

数据表: PDF | HTML
隔离式栅极驱动器

UCC21530-Q1适用于 IGBT/SiC 且具有 EN 和 DT 引脚的汽车级 4A/6A 5.7kVRMS 双通道隔离式栅极驱动器

数据表: PDF | HTML

技术文档

star
= TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 2
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 测试报告 Safety Isolated Secondary SiC MOSFET Driver Reference Design (Rev. A) 2019-4-25
产品概述 适用于 PLC I/O 模块和其他低功耗应用的隔离式电源拓扑 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024-8-29

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

查看全部论坛主题 查看英文版全部论坛主题

所有内容均由 TI 和社区贡献者按“原样”提供,并不构成 TI 规范。请参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持