PMP21553
安全隔离式初级 SiC MOSFET 驱动器参考设计
PMP21553
概述
此参考设计为汽车电池充电系统提供了集成高侧和低侧隔离式初级栅极驱动器解决方案，采用两个推挽 SN6505B 变压器驱动器和一个隔离式双通道栅极驱动器 UCC21521C。
特性
- 双电源 +15V/-4V 输出
- 4V 负输出，用于快速 FET 关断
- 1.500" x 1.750" 的小电路板尺寸
- 高达 120mA 的高 FET 驱动电流可降低开关损耗
| 输出电压选项 | PMP21553.1 |
|---|---|
| 输入电压（最小值）(V) | 4.85 |
| 输入电压（最大值）(V) | 5.15 |
| 输出电压（标称值）(V) | 19 |
| Iout（最大值）(A) | .12 |
| 输出功率 (W) | 2.28 |
| 隔离/非隔离 | Isolated |
| 输入类型 | DC |
| 拓扑 | Forward- Push Pull |
汽车
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 测试报告 | Safety Isolated Primary SiC MOSFET Driver Reference Design (Rev. A) | 2019-4-25 |