PMP21440

比较:0.8V/8W GaN 与硅电源参考设计

PMP21440

设计文件

概述

该参考设计为客户提供有关 GaN 与硅在电源设计中使用情况的对比研究。对于硅电源,该特定的设计使用 TPS40400 控制器来驱动 CSD87381,而对于 GaN 电源,则使用采用 EPC2111 的 LMG1210,电源输出为 0.8V/10A。该设计将硅功率级与 GaN 功率级进行比较,以说明在使用 GaN 进行设计时的设计取舍和必要的优化。

特性
  • PMBus 可编程 OPC、UVLO、OV、开关频率和软启动
  • 通过 LMG1210上的引脚搭接实现死区时间调节
  • 电源板和子卡实现
  • 优化死区时间显示 GaN 效率提高了 5%
输出电压选项 PMP21440.1 PMP21440.2
输入电压(最小值)(V) 6 6
输入电压(最大值)(V) 8.4 8.4
输出电压(标称值)(V) .8 .8
Iout(最大值)(A) 10 10
输出功率 (W) 8 8
隔离/非隔离 Non-Isolated Non-Isolated
输入类型 DC DC
拓扑 Buck- Synchronous Buck- Synchronous
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDT008.PDF (1273 KB)

参考设计的测试结果,包括效率图、测试必要条件等

TIDRWF8.PDF (76 KB)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRWF9.PDF (109 KB)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRWF5.PDF (107 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRWF6.PDF (107 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRWG1.ZIP (1773 KB)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCEP8.ZIP (5705 KB)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRWG0.ZIP (699 KB)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

TIDRWF3.PDF (105 KB)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRWF4.PDF (133 KB)

设计布局和元件的详细原理图

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

MOSFET

CSD87381P采用 3mm x 2.5mm LGA 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
半桥驱动器

LMG1210适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

数据表: PDF | HTML
交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

TPS40400具有 PMBus™ 且包含遥测功能的 3V 至 20V、30A 同步降压控制器

数据表: PDF | HTML

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* 测试报告 PMP21440 Test Results 2018-5-23

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