PMP20859

具有平稳过渡功能的双输入冗余 PoE PD 参考设计

PMP20859

设计文件

概述

此参考设计采用 IEEE802.3bt(草案)以太网供电 (PoE) 供电设备 (PD) 并具有双冗余输入,可以在这两个输入与辅助输入之间平稳过渡。  此设计包含一个 5V/6A 同步反激式转换器,并支持使用最多三个电源(两个 PoE 电源设备 (PSE) 电源和一个交流/直流壁式适配器辅助电源),来降低系统断电和丢失数据的可能性。

需要 IEEE802.3bt 就绪型 PSE 控制器?请查看 TPS23881

特性
  • 冗余输入:  两个 PoE 和 48V 适配器
  • 在输入之间切换时能够连续输出
  • 在 5V/6A 输出和 PoE 输入条件下,效率为 84%
输出电压选项 PMP20859.1
输入电压(最小值)(V) 42.5
输入电压(最大值)(V) 57
输出电压(标称值)(V) 5
Iout(最大值)(A) 6
输出功率 (W) 30
隔离/非隔离 Isolated
输入类型 DC
拓扑 Flyback- Synchronous^POE
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDT030.PDF (1112 KB)

参考设计的测试结果,包括效率图、测试必要条件等

TIDRX96.PDF (418 KB)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRX95.PDF (40 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRX98.ZIP (1410 KB)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCEX3.ZIP (1595 KB)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRX97.PDF (2120 KB)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

TIDRX94.PDF (430 KB)

设计布局和元件的详细原理图

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

MOSFET

CSD18504Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
供电设备

TPS2372具有自动 MPS 和 Autoclass 的 IEEE 802.3bt PoE 高功率 PD 接口

数据表: PDF | HTML
交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

LM502013V 至 100V 宽输入电压、电流模式 PWM 升压、反激式、Sepic 控制器

数据表: PDF
复位及看门狗 IC

TPS3808具有可编程延迟和手动复位功能的低静态电流监控器

数据表: PDF | HTML
并联电压基准

TLV431A精度为 1% 的低电压可调节精密并联稳压器

数据表: PDF | HTML
MOSFET

CSD19534Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
MOSFET

CSD19538Q3A采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML

技术文档

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* 测试报告 Dual-Input Redundant PoE PD With Smooth Transition Reference Design 2018-10-21

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