PMP20183

9V-15V 输入电压升压转换器 (200V@10mA) 参考设计

PMP20183

设计文件

概述

此升压转换器采用一个电压三倍器,可实现很高的输入/输出升压比。此设计的成本低,且仅需要不到 25mm x 25mm 的面积。

特性
  • 出色的效率(在 10mA 负载和 12V 输入电压下,效率大于 82%)
  • 采用具有低应力的 100V 组件
  • 低输出纹波电压 (<0.4%)
  • 25mm x 25mm 的小面积
输出电压选项 PMP20183.1
输入电压(最小值)(V) 9
输入电压(最大值)(V) 15
输出电压(标称值)(V) 200
Iout(最大值)(A) .01
输出功率 (W) 2
隔离/非隔离 Non-Isolated
输入类型 DC
拓扑 Boost- Non Sync
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUCJ2.PDF (1847 KB)

参考设计的测试结果,包括效率图、测试必要条件等

TIDROG5.PDF (52 KB)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDROG4.PDF (39 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDROG7.ZIP (6012 KB)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCCU6.ZIP (354 KB)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDROG6.PDF (278 KB)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

TIDROG3.PDF (98 KB)

设计布局和元件的详细原理图

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

LM34812.97V 至 48V 高效升压、SEPIC 和反激式控制器

数据表: PDF | HTML
MOSFET

CSD19538Q3A采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML

技术文档

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* 测试报告 PMP20183 Test Results 2016-11-3

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