PMP10666

用于高压激光闪存驱动器的低输入电压反激参考设计

PMP10666

设计文件

概述

PMP10666 是一种 12W 隔离反激式设计,支持非常低的 Vin (3.3 V - 6 V),并能提供 100 mA、120 V 的输出。该设计使用 LM3481 升压控制器集成电路,该集成电路可以电流模式运行,并可与 100 KHz 至 1 MHz 之间的任意频率同步。

该设计是使用 2 层电路板创建的,具有简单、BOM 数量少和成本低等特点,可提供隔离式输出。

特性
  • 低成本的反激式设计,能提供低 Vin 至高压的输出
  • 占用超小面积,适用于 LM3481 实际功率级
  • 100 kHz 到 1 MHz 的可调且可同步时钟频率,并在启动时限制浪涌电流
  • 能接受 3 V 至 40 V 输入的集成电路
输出电压选项 PMP10666.1
输入电压(最小值)(V) 3.5
输入电压(最大值)(V) 5.5
输出电压(标称值)(V) 120
Iout(最大值)(A) .1
输出功率 (W) 12
隔离/非隔离 Isolated
输入类型 DC
拓扑 Flyback- Non Sync
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUAL3.PDF (204 KB)

参考设计的测试结果,包括效率图、测试必要条件等

TIDUAJ6.PDF (2817 KB)

参考设计的测试结果,包括效率图、测试必要条件等

TIDRGQ7.PDF (23 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDCAU5.ZIP (186 KB)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRGQ6.PDF (213 KB)

设计布局和元件的详细原理图

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

MOSFET

CSD18504Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
并联电压基准

TL431可调节精密并联稳压器

数据表: PDF | HTML
交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

LM34812.97V 至 48V 高效升压、SEPIC 和反激式控制器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 测试报告 PMP10666 Transformer Specification (Wurth Electronik) 2015-9-14
* 测试报告 PMP10666 Test Results 2015-9-8

支持和培训

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