LM74610-SQEVM
反极性保护智能二极管控制器评估模块
LM74610-SQEVM
概述
LM74610-SQEVM 评估模块展示了可用于取代肖特基二极管和 P 通道 MOSFET 的反极性保护解决方案。在此反极性保护解决方案中，LM74610 智能二极管控制器用于为 40V (VDS) 外部 N 通道 MOSFET 提供栅极驱动。LM74610-SQEVM 与电源串联时模拟理想的二极管属性。在输入中感应到负电压时，LM74610 拉下 MOSFET 栅极并将连接的负载与电源隔离。TVS 电压钳位二极管 D1_1 和 D1_2 负责保护 LM74610-SQEVM 的安全以便进行 ISO7637 瞬态脉冲测试。
特性
- 最高输入电压为 MOSFET 的漏源极电压：40V
- 快速响应动态电流反向：<10μs
- 最高输入电压为 MOSFET 的漏源极电压：40V
- 最大负载电流为漏电流 (Id)：75A
- 零 Iq 和低反向漏电流
- 符合汽车 ISO7637 和 CISPR25 要求
- LM74610-SQEVM Reverse Polarity Protection Smart Diode Controller Evaluation Module
理想二极管/ORing 控制器
技术文档
=
TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 3
| 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | EVM 用户指南 | LM74610-DQEVM User’s Guide | 2015-10-12 | |||
| * | EVM 用户指南 | LM74610-SQ EVM User’s Guide | 2015-10-10 | |||
| 证书 | LM74610-SQEVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2019-1-2 |