Gallium nitride (GaN) motor drivers

Introducción a los IPM de GaN

Los módulos de alimentación inteligentes (IPM) desarrollados con nitruro de galio (GaN) permiten una mayor densidad de potencia y eficiencia que los transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de silicio y los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) tradicionales. 

Beneficios:

• Una eficiencia >99 % en la etapa de potencia elimina la necesidad de componentes de refrigeración, como los disipadores de calor, lo que mejora la eficiencia general y reduce el tamaño del sistema del controlador para motores.
• El tiempo muerto de <150 ns y el retardo de propagación, junto con frecuencias de conmutación de modulación por ancho de impulsos más altas, reducen la distorsión de la corriente para mejorar el rendimiento acústico.

Introducción a los medios puentes de GaN

Las etapas de potencia de medio puente de nitruro de galio (GaN) ofrecen una densidad de potencia superior y un tamaño más compacto en comparación con los MOSFET de silicio tradicionales.

Beneficios:

• Logre una reducción de más del 50 % del tamaño de la placa de circuito impreso (PCB) con etapas de potencia de medio puente de GaN.
• Reduzca las pérdidas de potencia hasta en un 50 % a altas frecuencias de conmutación (100 kHz).
• Permite el uso de condensadores cerámicos, mejorando la fiabilidad y el rendimiento.