KOKT139 March   2025 AMC1302 , INA181 , TMCS1123 , TMS320F28P550SJ

 

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    1.     IGBT와 GaN FET 비교
    2.     GaN 기반 스트링 인버터의 설계 고려 사항
    3.     전원 장치
    4.     MCU
    5.     전류 감지
    6.     실험 결과
    7.     결론
    8.     추가 리소스
    9.     상표
Technical Article

TI GaN FET 기반의 10kW 단상 스트링 인버터의 설계 고려 사항

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