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  • ISO5852S 高 CMTI 2.5A/5A 強化絶縁型 IGBT、MOSFET ゲート・ドライバ、分割出力とアクティブ保護機能を搭載

    • JAJSQC4C august   2015  – may 2023 ISO5852S

      PRODUCTION DATA  

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  • ISO5852S 高 CMTI 2.5A/5A 強化絶縁型 IGBT、MOSFET ゲート・ドライバ、分割出力とアクティブ保護機能を搭載
  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Revision History
  6. 5 概要 (続き)
  7. 6 Pin Configuration and Function
  8. 7 Specifications
    1. 7.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2  ESD Ratings
    3. 7.3  Recommended Operating Conditions
    4. 7.4  Thermal Information
    5. 7.5  Power Ratings
    6. 7.6  Insulation Specifications
    7. 7.7  Safety-Related Certifications
    8. 7.8  Safety Limiting Values
    9. 7.9  Electrical Characteristics
    10. 7.10 Switching Characteristics
    11. 7.11 Insulation Characteristics Curves
    12. 7.12 Typical Characteristics
  9. 8 Parameter Measurement Information
  10. 9 Detailed Description
    1. 9.1 Overview
    2. 9.2 Functional Block Diagram
    3. 9.3 Feature Description
      1. 9.3.1 Supply and Active Miller Clamp
      2. 9.3.2 Active Output Pulldown
      3. 9.3.3 Undervoltage Lockout (UVLO) With Ready (RDY) Pin Indication Output
      4. 9.3.4 Soft Turnoff, Fault ( FLT) and Reset ( RST)
      5. 9.3.5 Short Circuit Clamp
    4. 9.4 Device Functional Modes
  11. 10Application and Implementation
    1. 10.1 Application Information
    2. 10.2 Typical Applications
      1. 10.2.1 Design Requirements
      2. 10.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 10.2.2.1  Recommended ISO5852S Application Circuit
        2. 10.2.2.2  FLT and RDY Pin Circuitry
        3. 10.2.2.3  Driving the Control Inputs
        4. 10.2.2.4  Local Shutdown and Reset
        5. 10.2.2.5  Global-Shutdown and Reset
        6. 10.2.2.6  Auto-Reset
        7. 10.2.2.7  DESAT Pin Protection
        8. 10.2.2.8  DESAT Diode and DESAT Threshold
        9. 10.2.2.9  Determining the Maximum Available, Dynamic Output Power, POD-max
        10. 10.2.2.10 Example
        11. 10.2.2.11 Higher Output Current Using an External Current Buffer
      3. 10.2.3 Application Curves
  12. 11Power Supply Recommendations
  13. 12Layout
    1. 12.1 Layout Guidelines
    2. 12.2 Layout Example
    3. 12.3 PCB Material
  14. 13Device and Documentation Support
    1. 13.1 Device Support
      1. 13.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 13.2 Documentation Support
      1. 13.2.1 Related Documentation
    3. 13.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 13.4 サポート・リソース
    5. 13.5 Trademarks
    6. 13.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 13.7 用語集
  15. 14Mechanical, Packaging, and Orderable Information
  16. 重要なお知らせ
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Data Sheet

ISO5852S 高 CMTI 2.5A/5A 強化絶縁型 IGBT、MOSFET ゲート・ドライバ、
分割出力とアクティブ保護機能を搭載

このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。

1 特長

  • VCM = 1500V での最小同相過渡耐性 (CMTI)：100kV/μs
  • 分割出力により 2.5A のピーク・ソース電流および
    5A のピーク・シンク電流を供給
  • 短い伝搬遅延：76ns (標準値)、
    110ns (最大値)
  • 2A のアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 短絡時のソフト電源オフ (STO) 機能
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームは FLT により通知され、RST によりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止 (UVLO)：レディ (RDY) ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時の、アクティブ出力プルダウンおよびデフォルト Low 出力
  • 入力電源電圧：2.25V～5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧：15V～30V
  • CMOS 互換の入力
  • 20ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 動作温度：-40℃～+125℃ (周囲)
  • 絶縁サージ耐久電圧 12800VPK
  • 安全関連の認定：
    • 8000VPK VIOTM および 2121VPK VIORM の、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 準拠の強化絶縁
    • UL1577 準拠で 5700VRMS において 1 分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、および IEC 60601-1 最終機器標準
    • EN 61010-1 および EN 60950-1 準拠の TUV 認定
    • GB4943.1-2011 CQC 認定

2 アプリケーション

  • 次のような用途の絶縁型 IGBT および MOSFET ドライブ：
    • 産業用モーター制御ドライブ
    • 産業用電源
    • ソーラー・インバータ
    • HEV および EV の電源モジュール
    • 誘導加熱

 
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