INA253 2mΩの高精度低誘導性シャント抵抗を搭載した高電圧、双方向、ゼロ・ドリフトの電流シャント・モニタ

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1 特長

高精度のシャント抵抗を内蔵
- シャント抵抗: 2mΩ
- シャント・インダクタンス: 3nH
- シャント抵抗の公差: 0.1% (最大値)
- -40°C～+85°Cで±15Aの連続電流
- 0°C～125°Cの温度ドリフト係数: 10ppm/°C
高帯域幅: 350kHz
強化されたPWM除去
非常に優れたCMRR
- 120dBを超えるDC CMRR
- 50kHzにおいて90dBのAC CMRR
精度
- ゲイン
  - ゲイン誤差：0.4%（最大値）
  - ゲイン・ドリフト係数: 45ppm/℃ (最大値)
- オフセット
  - オフセット電流：±15mA（最大値）
  - オフセット・ドリフト係数：125µA/°C（最大値）
広い同相電圧範囲: -4V～+80V
利用可能なゲイン: 100mV/A、200mV/A、
400mV/A
静止電流：2.4mA（最大値）

2 アプリケーション

ソレノイドおよびバルブの制御
トランスミッション制御
モータ制御
アクチュエータ制御
DC/DCコンバータ
リモートI/Oリンク制御

3 概要

INA253は電圧出力、電流検出アンプで、2mΩのシャント抵抗が内蔵されています。INA253は、電源電圧にかかわらず、-4V～+80Vの広い同相電圧範囲で双方向の電流を監視するよう設計されています。
100mV/A、200mV/A、400mV/Aの3つの固定ゲインを選択可能です。高精度の抵抗とゼロ・ドリフトのチョップ・アンプが内蔵されているため、較正と等価の測定精度、15ppm/°Cという非常に低い温度ドリフト係数、センシング抵抗について最適化されたケルビン・レイアウトが実現されています。

INA253の設計には強化されたPWM除去回路が組み込まれており、大きな(dv/dt)信号を抑制し、リアルタイムで連続的な電流測定が可能です。この測定機能は、モータ・ドライブ・アプリケーションにおけるインラインの電流測定や、ソレノイドのバルブ制御アプリケーションなどに不可欠なものです。

このデバイスは2.7V～5.5Vの単電源で動作し、消費電流は最大3mAです。どのゲインのバージョンも、拡張動作温度範囲(-40°C～+125°C)で動作が規定され、20ピンのTSSOPパッケージで供給されます。

製品情報⁽¹⁾

型番	パッケージ	本体サイズ（公称）
INA253	TSSOP (20)	6.50mm×4.40mm

利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にあるパッケージ・オプションについての付録を参照してください。