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  • LMG1020 5V、7A、5AのローサイドGaNおよびMOSFETドライバ、1nsパルス幅のアプリケーション用

    • JAJSER4B February   2018  – October 2018 LMG1020

      PRODUCTION DATA.  

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  • LMG1020 5V、7A、5AのローサイドGaNおよびMOSFETドライバ、1nsパルス幅のアプリケーション用
  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      LiDARドライバ段の概略図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Input Stage
      2. 7.3.2 Output Stage
      3. 7.3.3 VDD and undervoltage lockout
      4. 7.3.4 Overtemperature Protection (OTP)
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Handling Ground Bounce
        2. 8.2.2.2 Creating Nanosecond Pulse With LMG1020
      3. 8.2.3 VDD and Overshoot
      4. 8.2.4 Operating at Higher Frequency
      5. 8.2.5 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
      1. 10.1.1 Gate Drive Loop Inductance and Ground Connection
      2. 10.1.2 Bypass Capacitor
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報
  13. 重要なお知らせ
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DATA SHEET

LMG1020 5V、7A、5AのローサイドGaNおよびMOSFETドライバ、1nsパルス幅のアプリケーション用

このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。

1 特長

  • GaNおよびシリコンFET用の超高速ローサイド・ゲート・ドライバ
  • 最小入力パルス幅: 1ns
  • 最高60MHzでの動作
  • 標準2.5ns、最大4.5nsの伝搬遅延
  • 400psの標準立ち上がりおよび立ち下がり時間
  • 7Aピーク・ソース電流および5Aピーク・シンク電流
  • 5Vの電源電圧
  • UVLOおよび過熱保護
  • 0.8mm×1.2mmのWCSPパッケージ

2 アプリケーション

  • LiDAR
  • タイム・オブ・フライト(ToF)レーザー・ドライバ
  • 顔認識
  • クラスEワイヤレス充電器
  • VHF共振電力コンバータ
  • GaNベースの同期整流器
  • 拡張現実

3 概要

LMG1020デバイスはシングル、ローサイドのドライバで、LiDAR、タイム・オブ・フライト、顔認識などの高速アプリケーションや、ローサイド・ドライバを使用するあらゆる電力コンバータで、GaN FETおよびロジック・レベルMOSFETを駆動するよう設計されています。LMG1020は設計が単純なため、伝播遅延が2.5ナノ秒と非常に短く、最小で1ナノ秒のパルス幅に対応できます。ゲートと、OUTHおよびOUTLとの間に外付けの抵抗を接続することで、それぞれプルアップ・エッジとプルダウン・エッジの駆動強度を独立に設定できます。

ドライバには、過負荷またはフォルト状況に対応するため、低電圧誤動作防止(UVLO)および過熱保護(OTP)機能があります。

LMG1020は0.8mm×1.2mmのWCSPパッケージを使用しており、ゲート・ループのインダクタンスが最小化され、高周波数のアプリケーションで電力密度を最大化できます。

製品情報(1)

型番 パッケージ 本体サイズ(公称)
LMG1020 WCSP (6) 0.80mm×1.20mm
  1. 利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。

 

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