JAJSCT3A November   2016  – January 2017 CSD18514Q5A

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q5Aパッケージの寸法
    2. 7.2 推奨されるPCBパターン
    3. 7.3 推奨されるステンシル開口部
    4. 7.4 Q5Aのテープ・アンド・リール情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

1 特長

  • 低いRDS(ON)
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • ロジック・レベル
  • 鉛フリーの端子メッキ処理
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • SON 5mm×6mmプラスチック・パッケージ

2 アプリケーション

  • DC/DC変換
  • 2次側同期整流器
  • バッテリ・モータ制御

3 概要

この4.1mΩ、SON 5mm×6mm、40V NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。

上面図

CSD18514Q5A P0093-01_LPS198.gif

製品概要

TA = 25°C 標準値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 40 V
Qg ゲートの合計電荷(10V) 29 nC
Qgd ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 5.0 nC
RDS(on) ドレイン-ソース間オン抵抗 VGS = 4.5V 6.0 mΩ
VGS = 10V 4.1
VGS(th) スレッショルド電圧 1.8 V

製品情報(1)

デバイス メディア 数量 パッケージ 出荷
CSD18514Q5A 13インチ・リール 2500 SON
5.00mm×6.00mm
プラスチック・パッケージ		 テープ・アンド・リール
CSD18514Q5AT 7インチ・リール 250
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。

絶対最大定格

TA = 25°C 値 単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 40 V
VGS ゲート-ソース間電圧 ±20 V
ID 連続ドレイン電流(パッケージ制限) 50 A
連続ドレイン電流(シリコン制限)、TC = 25°C 89
連続ドレイン電流(1) 18
IDM パルス・ドレイン電流(2) 237 A
PD 消費電力(1) 3.1 W
消費電力、TC = 25°C 74
TJ、
Tstg 		動作時の接合部、
保管温度		 –55～150 °C
EAS アバランシュ・エネルギー、単一パルス
ID = 33A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		 55 mJ
  1. 厚さ0.06inのFR4 PCB上に構築された面積1in2、2オンスのCuパッド上で、標準値RθJA = 40℃/Wです。
  2. 最大RθJC = 1.7℃/W、パルス期間 ≤ 100μs、デューティ・サイクル
    ≤ 1%。

RDS(on)とVGSとの関係

CSD18514Q5A D007_SLPS625.gif

ゲート電荷

CSD18514Q5A D004_SLPS625A_FP.gif