LMG3650EVM-113 配有两个 LMG3650R025 650V GaN FET，在半桥配置中集成了驱动器和保护，具有所有必要的偏置电路和逻辑/电源电平转换。基本功率级和栅极驱动、高频电流环路在板上是全封闭的，以最大程度地减少电源环路的寄生电感，从而减少电压过冲，提升性能。LMG3650EVM-113配置为插槽式外部连接，可方便地与外部功率级连接，以在各种应用中运行 LMG3650R025。在使用此 EVM 之前，请参阅 LMG3650R025 数据表。