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TPS1213Q1EVM 可对 TI 的 TPS1213-Q1 智能高侧驱动器进行参考电路评估。TPS1213-Q1 器件具有 3.5V 至 40V 的工作电压范围和 1.69A 的主路径栅极驱动强度，可在高电流设计中开关并联的 MOSFET。TPS12130-Q1 具有低功耗模式，能够在消耗 28µA（典型值）的情况下支持常开负载。在低功耗模式下，只有低功耗路径 FET 保持导通状态，而主 FET 则关断以节省 IQ。该器件提供可调节短路保护，以及可配置的自动重试和锁存故障行为。