DATA SHEET
UCC21750 适用于 SiC/IGBT 并具有主动保护、隔离式模拟感应和高 CMTI 的 10A 拉电流/灌电流增强型隔离式单通道栅极驱动器
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1 特性
- 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
- 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大输出驱动电压 (VDD – VEE)
- ±10A 驱动强度和分离输出
- 150V/ns 最小 CMTI
- 具有 200ns 快速响应时间的 DESAT 保护
- 4A 内部有源米勒钳位
- 发生故障时的 400mA 软关断
- 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
- 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
- 高电压直流链路或相电压
- 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
- 针对 RST/EN 的快速启用和禁用响应
- 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
- RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
- 具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
- 130 ns（最大）传播延迟和 30 ns（最大）脉冲/器件间偏移
- SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
- 工作结温范围：-40°C 至 +150°C
- 安全相关认证：
- 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的增强型绝缘
- UL 1577 组件认证计划