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  • 适用于 SiC/IGBT 且具有高级保护功能和高 CMTI 的 UCC21732-Q1 单通道隔离式栅极驱动器

    • ZHCSIZ4 October   2018

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  • 适用于 SiC/IGBT 且具有高级保护功能和高 CMTI 的 UCC21732-Q1 单通道隔离式栅极驱动器
  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5器件和文档支持
    1. 5.1 文档支持
      1. 5.1.1 相关文档
    2. 5.2 接收文档更新通知
    3. 5.3 社区资源
    4. 5.4 商标
    5. 5.5 静电放电警告
    6. 5.6 术语表
  6. 6机械、封装和可订购信息
  7. 重要声明
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DATA SHEET

适用于 SiC/IGBT 且具有高级保护功能和高 CMTI 的 UCC21732-Q1 单通道隔离式栅极驱动器

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见,TI 提供了译文;由于翻译过程中可能使用了自动化工具,TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性,请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本(控制文档)。

1 特性

  • 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 应用 (计划的认证)
  • 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
  • 高峰值驱动电流和高 CMTI
  • 有源米勒钳位
    • RDY 上的 UVLO(具有电源正常指示功能)
      • 小传播延迟和脉冲/器件间偏移
      • 工作温度范围为 –40°C 至 125°C
      • 安全相关认证(计划):
        • 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
        • 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离

      2 应用

      • 适用于 EV 的牵引逆变器
      • 车载充电器和直流充电站
      • 工业电机驱动器
      • 服务器、电信和工业电源
      • 不间断电源 (UPS)

      3 说明

      UCC21732-Q1 它是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护 功能、一流的动态性能和稳健性。

      输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。

        4 修订历史记录

        日期 修订版本 说明
        2018 年 10 月 * 预告信息发布

        5 器件和文档支持

        5.1 文档支持

        5.1.1 相关文档

        请参阅如下相关文档:

        • 《隔离相关术语》

         

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