航天应用的一个常见设计挑战是需要生成负电压轨。本应用手册说明了如何使用抗辐射 TPS7H4010-SEP 设计反相降压/升压。在 LEO™ 应用中，需要使用抗辐射器件来屏蔽单粒子效应和剂量效应。TPS7H4010-SEP 的电离辐射总剂量额定值为 30krad (Si)，单粒子闩锁效应抑制额定值为 43MeV*cm2/mg。此拓扑采用正输入电压并产生经调节的负输出电压。本应用手册详细介绍了设计注意事项和仿真结果，以便设计人员可以根据不同的要求扩展设计。该文档还包含实验结果和配置说明，用以通过 -6V 和 -1.8V 电源轨的 12V 输入和 5V 输入调节 -12V、-6V 和 -1.8V 的电压轨。