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  • 采用 TPS7H4010-SEP 的抗辐射反相降压/升压转换器

    • ZHCACS3 june   2023 TPS7H4010-SEP

       

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  • 采用 TPS7H4010-SEP 的抗辐射反相降压/升压转换器
  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
    1. 1.1 设计说明
    2. 1.2 设计目标
  5. 2详细设计过程
  6. 3测试结果
  7. 4总结
  8. 5参考文献
  9. 重要声明
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Application Note

采用 TPS7H4010-SEP 的抗辐射反相降压/升压转换器

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见,TI 提供了译文;由于翻译过程中可能使用了自动化工具,TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性,请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本(控制文档)。

摘要

航天应用的一个常见设计挑战是需要生成负电压轨。本应用手册说明了如何使用抗辐射 TPS7H4010-SEP 设计反相降压/升压。在 LEO™ 应用中,需要使用抗辐射器件来屏蔽单粒子效应和剂量效应。TPS7H4010-SEP 的电离辐射总剂量额定值为 30krad (Si),单粒子闩锁效应抑制额定值为 43MeV*cm2/mg。此拓扑采用正输入电压并产生经调节的负输出电压。本应用手册详细介绍了设计注意事项和仿真结果,以便设计人员可以根据不同的要求扩展设计。该文档还包含实验结果和配置说明,用以通过 -6V 和 -1.8V 电源轨的 12V 输入和 5V 输入调节 -12V、-6V 和 -1.8V 的电压轨。

商标

LEO™is a TM ofTI corporate name.

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