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  • 航天级 100krad 100V 高侧电流检测电路

    • ZHCACA3A January   2022  – February 2022 LM4050QML-SP , LMP7704-SP

       

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APPLICATION BRIEF

航天级 100krad 100V 高侧电流检测电路

本资源的原文使用英文撰写。 为方便起见,TI 提供了译文;由于翻译过程中可能使用了自动化工具,TI 不保证译文的准确性。 为确认准确性,请务必访问 ti.com 参考最新的英文版本(控制文档)。

设计目标

参数值
共模电压 (VCM)100V
负载电流(Iload 或 Ishunt)1A 至 10A
输出电压 (Vout)0.5V 至 5V
输出电压误差< 0.7%
功耗< 700mW
总电离剂量 (TID)100krad (Si)
单粒子闩锁 (SEL) 抗扰度85MeV·cm2/mg

设计说明

为了测量电源系统运行状况监控系统中的电流,在负载的高侧或低侧放置了一个分流电阻器。但是,将其放置在低侧可能会干扰负载接地。在大多数应用中,测量高侧电流更为可取。下图显示了一个高侧电流检测电路,其电源电压等于 100V,负载电流范围为 1A 至 10A。该电路的输出范围为 0.5V 至 5V。

GUID-20211104-SS0I-VXRD-QKWV-ZXXWSDTKLD4K-low.png

设计注意事项

  • 当负载电流较低时,运算放大器的 Vos 决定了误差。当负载电流较高时,分流电阻器的容差决定了误差。
  • 增大 R3、R5 和 R6 值会降低 PMOS 功耗,但会减小输出 (VOUT) 范围。
  • R2 决定了系统的功耗
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