ZHCSCP7A June   2014  – August 2014 CSD17575Q3

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 Trademarks
    2. 6.2 Electrostatic Discharge Caution
    3. 6.3 术语表
  7. 7机械封装和可订购信息
    1. 7.1 Q3 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模板开口
    4. 7.4 Q3 卷带信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

2 应用

  • 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
  • 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化

3 说明

这款 1.9mΩ，30V，SON 3×3 NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图
p0095-01_lps202.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 30 V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V) 23 nC
Qgd 栅漏栅极电荷 5.4 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5 V 2.6 mΩ
VGS = 10V 1.9
Vth 阀值电压 1.4 V


订购信息(1)

器件 介质 数量 封装 出货
CSD17575Q3 13 英寸卷带 2500 SON 3.3mm x 3.3mm
塑料封装		 卷带封装
CSD17575Q3T 13 英寸卷带 250
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

最大绝对额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 30 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 60 A
持续漏极电流（受芯片限制），
TC = 25°C 时测得		 182
持续漏极电流(1) 27
IDM 脉冲漏极电流(2) 240 A
PD 功率耗散(1) 2.8 W
功率耗散，TC = 25°C 108
TJ，
Tstg		 运行结温和
储存温度范围		 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 48，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 115 mJ
  1. RθJA = 45°C/W，这是在一块厚度为 0.060 英寸的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 平方英寸 2 盎司铜过渡垫片上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 1.5°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

RDS(on) 与 VGS 间的关系

graph07_SLPS489.png

栅极电荷

graph04_SLPS489.png