ZHCSAY1D March   2013  – November 2017 CSD17556Q5B

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5B 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模板布局
    4. 7.4 Q5B 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DNK|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 极低电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

2 应用范围

  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
  • 同步整流
  • 有源操作和热插拔 应用

3 说明

此 30V、1.2mΩ、5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小同步整流和其他功率转换应用中的 损耗。

顶视图

CSD17556Q5B P0093-01_LPS198.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 30 V
Qg 总栅极电荷 (4.5V) 30 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 7.5 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5 V 1.5 mΩ
VGS = 10V 1.2
VGS(th) 阈值电压 1.4 V

器件信息(1)

器件 数量 包装介质 封装 发货
CSD17556Q5B 2500 13 英寸卷带 SON
5.00-mm × 6.00-mm
塑料封装		 卷带封装
CSD17556Q5BT 250
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 30 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 100 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 215
持续漏极电流(1) 34
IDM 脉冲漏极电流，TA = 25°C 时测得(1)(2) 400 A
PD 功率耗散(1) 3.1 W
功率耗散，TC = 25°C 时测得 191
TJ、
Tstg		 工作结温、
储存温度		 –55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单一脉冲
ID = 100A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 500 mJ
  1. 典型 RθJA = 40°C/W（当在 0.06 英寸 [1.52mm] 厚的 FR4 PCB 上将其安装在 1 平方英寸 [6.45cm2] 2 oz
    [0.071mm] 厚的铜焊盘上时）。
  2. 最大 RθJC = 1.3°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

RDS(on) 与 VGS 对比

CSD17556Q5B graph07_SLPS392F.png

栅极电荷

CSD17556Q5B graph04_SLPS392F.png